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晶体管
SQM100N10-10_GE3参考图片

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SQM100N10-10_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V 100A 375W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥24.6679
24.6679
10
¥21.9785
219.785
100
¥17.9783
1797.83
250
¥14.5205
3630.125
800
¥12.2153
9772.24
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
185 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
115 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SQM100N10-10_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
T2N7002AK,LM
Toshiba
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET
1:¥1.2317
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:201365
STQ1NK80ZR-AP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A
1:¥5.4579
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3278
2,000:¥1.9662
参考库存:15211
NGTB40N120FL2WAG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/40 FAST IGBT FSII T
1:¥40.2619
10:¥34.1938
100:¥29.6625
250:¥28.1257
参考库存:10589
RQ3L050GNTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8984
参考库存:6317
APT4M120K
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥33.5045
10:¥26.9731
100:¥24.5097
250:¥22.1254
参考库存:7733
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