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晶体管
CSD88584Q5DCT参考图片

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CSD88584Q5DCT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V POWERBLOCK N CH MOSFET
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库存:4,646(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.2565
45.2565
10
¥40.7252
407.252
100
¥33.3463
3334.63
250
¥31.3462
7836.55
500
¥28.4308
14215.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-22
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
-
Rds On-漏源导通电阻
680 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
137 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
12 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD88584Q5DC
商标
Texas Instruments
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
100.600 mg
商品其它信息
优势价格,CSD88584Q5DCT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC807L_BC807LW - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
参考库存:19381
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
暂无价格
参考库存:19384
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥42.036
10:¥35.7306
100:¥30.962
250:¥29.3574
3,000:¥21.0519
参考库存:19387
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
5,000:¥1.6046
参考库存:19390
晶体管
JFET N-Ch -50Vgss -1.2Vgs 10mA 360mW 2.88mW
100:¥65.7773
250:¥59.9352
500:¥56.0932
1,000:¥51.4037
参考库存:19393
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