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晶体管
SQJA20EP-T1_GE3参考图片

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SQJA20EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:3,686(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.6839
2841.95
1,000
¥4.4861
4486.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
22.5 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格,SQJA20EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
800:¥7.2433
参考库存:8662
晶体管
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
1:¥28.8941
10:¥24.5097
100:¥21.2892
250:¥20.2044
参考库存:4876
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥21.131
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:5845
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:36003
晶体管
MOSFET 240V 0.2A 0.36W 4.0ohms @ 10V
1:¥7.9891
10:¥7.006
100:¥5.4014
500:¥4.0002
1,000:¥3.1979
3,000:¥2.8137
参考库存:6720
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