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晶体管

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NSVBCP69T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.486
24.86
100
¥1.1413
114.13
1,000
¥0.87575
875.75
2,000
¥0.7458
1491.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Single Dual Collector
晶体管极性
PNP
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-261-4
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
最大工作频率
60 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极连续电流
1 A
Pd-功率耗散
1.5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCP69
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
25 V
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格，NSVBCP69T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STH52N10LF3-2AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 15 mOhm typ., 52 A STripFET F3 Power MOSFET in an H2PAK-2 package
1,000:¥6.6896
2,000:¥6.2263
5,000:¥6.0003
10,000:¥5.763
参考库存:32490
SQD23N06-31L_T4GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252
2,500:¥2.8363
5,000:¥2.7007
10,000:¥2.5877
25,000:¥2.5086
参考库存:32493
SI3973DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:32496
2731GN-200M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥4,744.5649
参考库存:32499
SIHP6N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:32502
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