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晶体管

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NSVBCP69T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.486
24.86
100
¥1.1413
114.13
1,000
¥0.87575
875.75
2,000
¥0.7458
1491.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single Dual Collector
晶体管极性
PNP
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-261-4
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
最大工作频率
60 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极连续电流
1 A
Pd-功率耗散
1.5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCP69
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
25 V
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
300 mg
商品其它信息
优势价格,NSVBCP69T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥92.8973
250:¥84.6822
500:¥79.2243
1,000:¥72.6929
参考库存:37517
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥173.8844
250:¥159.6012
500:¥151.9172
参考库存:37520
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥105.3499
250:¥96.05
500:¥89.8237
1,000:¥82.377
参考库存:37526
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥2.599
5,000:¥2.3617
10,000:¥2.1583
25,000:¥2.1244
参考库存:37529
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
500:¥15.368
参考库存:3167
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