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晶体管
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IPB65R099C6

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库存:16,731(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.7935
50.7935
10
¥43.1886
431.886
100
¥37.4256
3742.56
250
¥35.5046
8876.15
1,000
¥26.8149
26814.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
89 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
127 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
10.6 ns
零件号别名
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R99C6XT SP000895224
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,IPB65R099C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 20V
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
2,000:¥1.6724
参考库存:4618
晶体管
MOSFET 30V N-Channel Power Trench
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8986
500:¥5.2206
3,000:¥3.6499
9,000:查看
参考库存:7006
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 5A
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
2,500:¥2.0001
参考库存:4481
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
1,000:¥3.2883
2,500:¥3.2883
参考库存:12615
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:3458
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