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晶体管
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2SD1805G-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 20V
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4.9946
10
¥4.1019
41.019
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
系列
2SD1805
封装
Bulk
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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