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晶体管
2SK3666-3-TB-E参考图片

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2SK3666-3-TB-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • JFET SWITCHING DEVICE
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库存:8,479(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.79891
798.91
3,000
¥0.60681
1820.43
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
JFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-59-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 30 V
Vgs=0时的漏-源电流
3 mA
Id-连续漏极电流
10 mA
Rds On-漏源导通电阻
200 Ohms
Pd-功率耗散
200 mW
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SK3666
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
JFET
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3 ms
闸/源截止电压
- 1 nA
工厂包装数量
3000
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,2SK3666-3-TB-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 356A 117W 9.3mOhms
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
1,500:¥3.2318
参考库存:16881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Zetex PNP Med. Power Transistor
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:4883
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8026
1,000:¥5.6274
参考库存:3211
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
1:¥74.919
10:¥67.6983
25:¥64.5456
100:¥56.0141
参考库存:2469
晶体管
MOSFET 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A
1:¥3.5369
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
2,500:¥1.1978
参考库存:3813
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