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晶体管
2N3585参考图片

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2N3585

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power
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数量单价合计
1
¥92.208
92.208
10
¥91.2814
912.814
25
¥84.4449
2111.1225
100
¥77.5293
7752.93
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-66-2
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
500 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
750 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
10 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N3585
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 1 A, 10 V
Pd-功率耗散
35 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
零件号别名
2N3585 PBFREE
单位重量
5.840 g
商品其它信息
优势价格,2N3585的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 800A
1:¥7,250.08
5:¥7,134.2098
参考库存:1832
晶体管
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥8.8366
10:¥7.5032
100:¥5.763
500:¥5.0963
2,500:¥3.5708
10,000:查看
参考库存:4572
晶体管
MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥5.9212
10:¥4.9494
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
2,500:¥2.2826
参考库存:6773
晶体管
MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:7903
晶体管
MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.5933
参考库存:13518
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