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晶体管
BD159G参考图片

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BD159G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.5A 350V 20W NPN
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3674
33.674
100
¥2.0566
205.66
1,000
¥1.582
1582
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
375 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD159
高度
11.1 mm
长度
7.8 mm
封装
Bulk
宽度
3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
212 mg
商品其它信息
优势价格,BD159G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 240A
1:¥911.4015
5:¥893.491
10:¥851.8505
25:¥833.94
参考库存:2855
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,500:¥6.2376
4,500:查看
参考库存:3087
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:3777
晶体管
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.2208
10:¥7.6275
100:¥5.8421
500:¥5.0285
3,000:¥3.7064
6,000:查看
参考库存:7851
晶体管
MOSFET N-CHAN 40V 32A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
1,500:¥1.5029
参考库存:4359
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