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晶体管
BSS123,215参考图片

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BSS123,215

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
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数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.6724
16.724
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.5537
553.7
3,000
¥0.41471
1244.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
150 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW (1/4 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel Trench MOS Transistor
宽度
1.4 mm
商标
Nexperia
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BSS123 T/R
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS123,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.232
1,000:¥5.7065
2,500:¥5.0624
参考库存:5134
晶体管
MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P
1:¥7.7631
10:¥6.6218
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:6560
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED SWITCHING
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.2782
500:¥24.5097
参考库存:4495
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 140A
1:¥1,183.1778
5:¥1,154.6792
10:¥1,126.0111
25:¥1,110.2589
参考库存:4078
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:19013
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