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晶体管
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2N5629

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Pwr
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数量单价合计
160
¥51.4037
8224.592
260
¥47.2566
12286.716
500
¥39.7308
19865.4
1,000
¥37.4934
37493.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
2 V
最大直流电集电极电流
16 A
增益带宽产品fT
1 MHz
最小工作温度
- 60 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N5629
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.45 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
4 at 16 A, 2 V
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N5629 TIN/LEAD
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，2N5629的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FP10R12W1T4_B3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 10A
1:¥263.403
5:¥260.6458
10:¥242.9726
25:¥232.0568
参考库存:2874
FCP36N60N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOS
1:¥47.2566
10:¥42.7253
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:3861
DXT751-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:6197
APT70GR65B2SCD30
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥127.3284
10:¥115.7233
25:¥107.0336
50:¥101.2028
参考库存:2859
RN2505TE85LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:4847
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