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晶体管
IHW40N60RFKSA1参考图片

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IHW40N60RFKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
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数量单价合计
1
¥34.9622
34.9622
10
¥29.7416
297.416
100
¥25.7414
2574.14
250
¥24.4306
6107.65
500
¥21.8994
10949.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW40N60R IHW4N6RXK SP000357222
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN2401,LF
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:25353
MX0912B351Y
Advanced Semiconductor, Inc.
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1:¥3,510.8196
2:¥3,221.517
5:¥2,891.331
10:¥2,560.693
参考库存:25356
NVMFS6B03NLT1G
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1,500:¥22.6678
参考库存:25359
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia
晶体管
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1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:25362
NGTB50N65FL2WAG
ON Semiconductor
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1:¥35.7306
10:¥30.4309
100:¥26.3516
250:¥24.973
500:¥22.4418
参考库存:4932
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