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晶体管
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IPD65R190C7

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库存:6,649(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5204
6260.2
1,000
¥10.3734
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPD65R190C7ATMA1 SP000928648
单位重量
800 mg
商品其它信息
优势价格,IPD65R190C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
1:¥3.6838
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:7343
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 MA RET
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:7647
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥82.603
10:¥74.3088
25:¥67.6983
50:¥63.0879
参考库存:4075
晶体管
达林顿晶体管 PNP DAR 30V 1A
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
2,000:¥0.5763
参考库存:10628
晶体管
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3278
1,000:¥1.8645
参考库存:6404
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