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晶体管
IPD65R190C7参考图片

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IPD65R190C7

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库存:6,649(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5204
6260.2
1,000
¥10.3734
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPD65R190C7ATMA1 SP000928648
单位重量
800 mg
商品其它信息
优势价格,IPD65R190C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6275
3,000:¥5.8873
6,000:查看
参考库存:40869
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1,000:¥1.7402
2,000:¥1.4464
参考库存:40872
晶体管
MOSFET 60V 35A Single N-Chan Pwr MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.763
100:¥4.4296
500:¥3.277
2,500:¥2.3052
5,000:查看
参考库存:40875
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
3,000:¥0.20792
12,000:¥0.20792
24,000:¥0.18419
45,000:¥0.16159
99,000:¥0.13786
参考库存:40878
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 40 Amp
1:¥11.4469
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.78
2,500:¥5.2319
5,000:查看
参考库存:40881
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