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晶体管
FGH40T120SQDNL4参考图片

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FGH40T120SQDNL4

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A UFS
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库存:4,129(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.1722
54.1722
10
¥48.9516
489.516
25
¥46.6464
1166.16
100
¥40.4992
4049.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.78 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,FGH40T120SQDNL4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 70mOhms
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
800:¥6.0116
参考库存:2239
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5371
500:¥6.667
4,000:¥4.6669
8,000:查看
参考库存:1365
晶体管
MOSFET 12V N-CHANNEL FEMTOFET
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7176
250:¥1.7176
1,000:¥1.3221
参考库存:2288
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
500:¥13.447
1,000:¥11.3678
参考库存:1474
晶体管
MOSFET P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4693
2,500:¥5.763
5,000:查看
参考库存:3610
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