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晶体管
2N7000-G参考图片

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2N7000-G

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库存:5,769(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.8024
28.024
25
¥2.373
59.325
100
¥2.1357
213.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
100 mmho
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,2N7000-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2
1:¥5.0737
10:¥4.2262
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
2,500:¥1.8419
参考库存:42842
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
参考库存:1988
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
1:¥46.4882
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.4988
参考库存:2101
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 30V 1A 5PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:3654
晶体管
MOSFET 30V P channel Power Mosfet
1:¥4.3053
10:¥2.9945
100:¥1.9662
500:¥1.1639
3,000:¥0.78422
9,000:查看
参考库存:9738
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