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晶体管
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BD677ASTU

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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.3391
233.91
1,000
¥1.8645
1864.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD677A
封装
Tube
高度
11 mm
长度
8 mm
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
BD677ASTU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD677ASTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥4.6104
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
2,000:¥1.695
参考库存:4127
晶体管
MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
3,000:¥3.277
9,000:查看
参考库存:17329
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
10,000:¥0.34578
20,000:查看
参考库存:17332
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
1:¥22.8938
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
1,500:¥11.526
4,500:查看
参考库存:17335
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
1:¥86.219
10:¥78.3768
25:¥72.4556
50:¥68.5458
参考库存:17338
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