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晶体管
MJD112-1G参考图片

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MJD112-1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
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库存:5,678(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.9323
1932.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
20 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD112
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
宽度
2.38 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200, 500, 1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
单位重量
40 mg
商品其它信息
优势价格,MJD112-1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Ch 40Vgd 40Vgs 50mA 625mW 30 Ohm
2,500:¥2.2713
10,000:¥2.1922
25,000:¥2.1018
参考库存:38526
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
3,000:¥2.1809
4,000:¥1.9888
10,000:¥1.808
24,000:¥1.7854
参考库存:38529
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥431.999
参考库存:38532
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥367.137
250:¥346.5484
参考库存:38535
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥71.9245
200:¥65.54
500:¥61.3138
1,000:¥56.2514
参考库存:38538
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