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晶体管
SQJ940EP-T1_GE3参考图片

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SQJ940EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 15A AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥10.2943
10.2943
10
¥8.5315
85.315
100
¥6.5427
654.27
500
¥5.6274
2813.7
1,000
¥4.4409
4440.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
15 A, 18 A
Rds On-漏源导通电阻
13.3 mOhms, 5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC, 48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W, 43 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
64 S, 102 S
下降时间
4.9 ns, 13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.3 ns, 9.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.6 ns, 47 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns, 7.7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ940EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N5152L
Microsemi
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Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥183.1843
250:¥168.1214
500:¥159.9854
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100:¥149.612
250:¥137.3176
500:¥130.7071
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JANTX2N5153L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥400.0313
参考库存:41321
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