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晶体管
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FS100R12PT4

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数量单价合计
1
¥1,107.3435
1107.3435
5
¥1,085.591
5427.955
10
¥1,034.9557
10349.557
25
¥1,013.2936
25332.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
135 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FS100R12PT4BOSA1 SP000485594
单位重量
385 g
商品其它信息
优势价格,FS100R12PT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.9156
1,000:¥5.7291
参考库存:2549
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220-3 CoolMOS E6
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
1,000:¥7.0625
参考库存:2209
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:3080
晶体管
MOSFET 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
1:¥48.1832
10:¥40.9512
100:¥35.5046
250:¥33.6514
800:¥25.4363
2,400:查看
参考库存:2059
晶体管
MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
1:¥4.5313
10:¥3.277
100:¥1.9323
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.70738
参考库存:165297
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