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晶体管
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FS75R07U1E4

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数量单价合计
1
¥584.0631
584.0631
5
¥573.3055
2866.5275
10
¥558.4686
5584.686
25
¥547.5641
13689.1025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Six-Pack
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
275 W
封装 / 箱体
SmartPACK1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R07U1E4BPSA1 SP000939174
商品其它信息
优势价格,FS75R07U1E4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary power transistors
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
1,000:¥5.7969
2,500:¥5.4014
参考库存:2680
晶体管
MOSFET Mosfet3.0ohmsTrench9 AEC-Q101 qualified
1:¥8.5315
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
参考库存:13712
晶体管
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:12189
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
5,000:¥6.8704
10,000:查看
参考库存:2691
晶体管
MOSFET Dual PT4 N 20/8V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
参考库存:19418
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