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晶体管
SI9407BDY-T1-GE3参考图片

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SI9407BDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
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库存：7,229(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.0625
70.625
100
¥5.4127
541.27
500
¥4.6556
2327.8
2,500
¥4.6556
11639
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
4.7 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI9
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8.5 nS
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns, 40 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 30 ns
零件号别名
SI9407BDY-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SI9407BDY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP027N08N5AKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥29.5043
10:¥25.0521
100:¥21.7412
250:¥20.5886
参考库存:2576
IRFD020PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥13.1419
10:¥10.9158
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:2742
FQP11P06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
参考库存:3897
VN0106N3-G-P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.4579
10:¥5.3788
25:¥4.5087
100:¥4.1132
2,000:¥2.8024
4,000:查看
参考库存:3725
AUIRFB4410
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:3254
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