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晶体管
BSO080P03S H参考图片

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BSO080P03S H

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
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库存:3,537(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.119
3559.5
1,000
¥5.6274
5627.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.9 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
- 102 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
43 S
下降时间
110 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSO080P03SHXUMA1 BSO8P3SHXT SP000613798
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO080P03S H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
1:¥94.6714
10:¥85.2133
25:¥77.6084
50:¥72.3087
参考库存:2659
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:8480
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
参考库存:6383
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:5891
晶体管
MOSFET PMV90ENE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:5295
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