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晶体管
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2N6609

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 160Vcbo 140Vceo 160Vceb 7.0Vebo 16A
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数量单价合计
1
¥74.6139
74.6139
10
¥73.9246
739.246
25
¥67.3932
1684.83
100
¥60.7827
6078.27
250
¥55.8672
13966.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
140 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N6609
直流电流增益 hFE 最大值
60
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
16 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
Pd-功率耗散
150 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N6609 PBFREE
商品其它信息
优势价格，2N6609的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC857AMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 100 mA PNP General Purpose Tran
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:33951
NGTD30T120F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
158:¥28.4308
250:¥26.9731
500:¥24.2046
1,000:¥20.4417
参考库存:47409
TP2435N8-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 350V 15Ohm
1:¥10.7576
10:¥10.5994
25:¥8.9157
100:¥8.1473
2,000:¥5.6161
4,000:查看
参考库存:6893
MRFE6VP6600GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥654.5186
参考库存:33958
NTMFS4H01NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MO
1,500:¥6.5201
4,500:¥6.2828
9,000:¥6.0342
参考库存:583608
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