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晶体管

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MW6S010GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
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数量单价合计
1
¥159.7481
159.7481
10
¥146.9226
1469.226
25
¥140.3912
3509.78
100
¥124.0966
12409.66
500
¥107.1918
53595.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
增益
18 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
工作频率
1.5 GHz
系列
MW6S010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
61.4 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935324159528
单位重量
548 mg
商品其它信息
优势价格,MW6S010GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.32318
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1:¥7.2998
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1:¥21.131
10:¥19.0518
25:¥17.063
100:¥15.368
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