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晶体管
FQA6N90C-F109参考图片

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FQA6N90C-F109

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库存:3,357(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.3736
3593.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
198 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA6N90C_F109
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
FQA6N90C_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FQA6N90C-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 4.1MO
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
2,500:¥2.5538
10,000:查看
参考库存:25283
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:25286
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:25289
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:25292
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
1:¥8.7575
10:¥7.4354
100:¥5.7178
500:¥5.0511
2,500:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:7182
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