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晶体管
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FDD6637

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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6218
66.218
100
¥5.085
508.5
500
¥4.4974
2248.7
1,000
¥3.5482
3548.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
35 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
11.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD6637
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格，FDD6637的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI8487DB-T1-E1
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥5.3788
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:5567
IRF9321TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1301
1,000:¥2.4973
4,000:¥2.4973
参考库存:9210
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:10648
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.58421
参考库存:6649
EMD2T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 30MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:9356
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