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晶体管
MJF31CG参考图片

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MJF31CG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 30W NPN
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库存:2,977(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.8026
68.026
100
¥5.2319
523.19
500
¥4.6217
2310.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJF31C
高度
9.24 mm (Max)
长度
10.63 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.9 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
28 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,MJF31CG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo
1:¥37.8776
10:¥33.8096
100:¥30.8151
250:¥27.8206
参考库存:4353
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥497.539
5:¥482.4761
10:¥468.2607
25:¥439.0615
参考库存:4193
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:4431
晶体管
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.4579
10:¥4.407
100:¥3.3448
500:¥2.7685
3,000:¥2.0001
6,000:查看
参考库存:169808
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:11918
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