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晶体管
HN1A01F-Y(TE85L,F)参考图片

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HN1A01F-Y(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.3278
23.278
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.1 V
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
HN1A01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，HN1A01F-Y(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1008L
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:2820
DMP3056L-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 50mOhm -10Vgs -4.3A
1:¥2.9154
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
参考库存:70031
IPB80N06S2LH5ATMA4
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:3786
STL12N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:4678
IFS150B12N3E4P_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,570.0672
5:¥1,532.2687
10:¥1,494.2329
25:¥1,473.2488
参考库存:2801
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