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晶体管
ZXMHC3F381N8TC参考图片

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ZXMHC3F381N8TC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
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库存:27,240(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.98 A, 4.13 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms, 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9 nC, 12.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.87 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMHC3
晶体管类型
2 N-Channel, 2 P-Channel
类型
H-Bridge
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
11.8 S, 14 S
下降时间
6.3 ns, 21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.5 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns, 1.9 ns
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMHC3F381N8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET
1:¥3.5369
10:¥3.503
25:¥3.0058
100:¥2.6894
3,000:¥2.6894
参考库存:7555
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
1:¥1.2317
10:¥1.13
100:¥0.40002
1,000:¥0.26894
3,000:¥0.20792
参考库存:370675
晶体管
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1189
800:¥4.0454
参考库存:7905
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5823
500:¥6.7009
1,000:¥5.2997
3,000:¥5.2997
参考库存:7326
晶体管
MOSFET 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:206835
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