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晶体管
IRF9Z34NPBF参考图片

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IRF9Z34NPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
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库存:7,552(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.7517
57.517
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.9098
1954.9
1,000
¥3.0849
3084.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23.3 nC
Pd-功率耗散
56 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001560182
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF9Z34NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
1:¥94.355
10:¥86.8292
25:¥83.2132
100:¥73.3031
参考库存:3414
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A Field Stop Trench IGBT
1:¥35.8888
10:¥30.51
100:¥26.4307
250:¥25.1312
500:¥22.5096
参考库存:4282
晶体管
MOSFET P-CH. MOSFET BVDSS: 25V-30V, AEC-Q101
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:11598
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS4 Trench IGBT
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:3666
晶体管
MOSFET PFET DPAK 60V 12A
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
2,500:¥2.2035
参考库存:9013
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