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晶体管
IRF9Z34NPBF参考图片

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IRF9Z34NPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
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库存:7,552(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.7517
57.517
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.9098
1954.9
1,000
¥3.0849
3084.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23.3 nC
Pd-功率耗散
56 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001560182
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF9Z34NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
1:¥1.921
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:19678
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:19681
晶体管
MOSFET T8 40V LOW COSS
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
5,000:¥15.7522
参考库存:19684
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.6106
10:¥7.4015
100:¥5.6839
500:¥5.0285
1,000:¥3.9663
2,500:¥3.9663
参考库存:7987
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
2,000:¥4.0906
参考库存:19689
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