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晶体管
2N5582/TR参考图片

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2N5582/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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数量单价合计
100
¥107.802
10780.2
200
¥98.2761
19655.22
500
¥91.982
45991
1,000
¥84.3658
84365.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-46-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
800 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 150 mA, 10 V
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 500 mA, 10 V
Pd-功率耗散
500 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2N5582/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch Amplifier 39Vdg -30V 10mA
1:¥11.9102
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:3373
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
参考库存:43508
晶体管
MOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.3563
参考库存:6151
晶体管
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 5.0x6.0mm
1:¥22.2045
10:¥20.1366
100:¥16.4415
500:¥13.1419
1,000:¥11.1418
3,000:¥10.4525
参考库存:4052
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:1317
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