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产品分类

晶体管
SIZ710DT-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIZ710DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 3.7
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库存:7,662(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.4468
944.68
500
¥7.4467
3723.35
1,000
¥5.9551
5955.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-6x3.7-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
16 A, 35 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms, 3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC, 60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
27 W, 48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
45 S, 85 S
下降时间
12 ns, 12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 25 ns
零件号别名
SIZ710DT-GE3
商品其它信息
优势价格,SIZ710DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.6555
参考库存:11392
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
1:¥42.7253
10:¥36.3408
100:¥31.5044
250:¥29.8885
参考库存:3384
晶体管
MOSFET FET 40V 0.65 MOHM TOLL
1:¥37.8098
10:¥32.1146
100:¥27.8206
250:¥26.3516
2,000:¥19.9784
参考库存:4383
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:2422
晶体管
MOSFET N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
1:¥50.172
10:¥42.6462
100:¥36.9623
250:¥35.0413
参考库存:3400
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