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晶体管
IKW60N60H3FKSA1参考图片

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IKW60N60H3FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:3,917(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.314
65.314
10
¥59.0086
590.086
25
¥56.2514
1406.285
100
¥48.8725
4887.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW60N60H3 IKW6N6H3XK SP000919762
商品其它信息
优势价格,IKW60N60H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥89.5977
10:¥80.9871
25:¥77.2242
100:¥67.0768
参考库存:30190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -45Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:30193
晶体管
MOSFET
1,000:¥21.5152
2,000:¥20.4417
参考库存:30196
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥34.1147
10:¥29.041
100:¥25.1312
250:¥23.8204
参考库存:4872
晶体管
MOSFET T6 40V S08FL
5,000:¥3.2318
10,000:¥3.1075
25,000:¥3.0171
参考库存:30201
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