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晶体管
IKW60N60H3FKSA1参考图片

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IKW60N60H3FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:3,917(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.314
65.314
10
¥59.0086
590.086
25
¥56.2514
1406.285
100
¥48.8725
4887.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW60N60H3 IKW6N6H3XK SP000919762
商品其它信息
优势价格,IKW60N60H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.6329
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.68365
参考库存:7164
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:9181
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:10800
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.1883
10:¥31.5835
100:¥27.3573
250:¥25.9674
500:¥23.278
参考库存:3852
晶体管
MOSFET 7A,20V Dual N Chann Mosfet,
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1639
参考库存:4838
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