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晶体管
IGW50N60T参考图片

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IGW50N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
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库存:4,854(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N60TFKSA1 IGW5N6TXK SP000054926
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW50N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:3977
晶体管
MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:244669
晶体管
MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
4,000:¥1.6724
参考库存:28744
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
1:¥43.7197
10:¥37.1092
100:¥32.1937
250:¥30.51
参考库存:4458
晶体管
MOSFET 250V 3.3A
1:¥9.5259
10:¥9.379
25:¥7.9891
100:¥7.2772
2,000:¥7.2772
参考库存:11378
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