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晶体管
STGP14NC60KD参考图片

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STGP14NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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库存:8,222(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9947
3497.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
28 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP14NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
7 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
150 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP14NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2658
1,000:¥4.1697
参考库存:4494
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS
1:¥7.6049
10:¥5.8873
100:¥3.7968
1,000:¥3.0397
参考库存:3823
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:4287
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:21371
晶体管
MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
1,500:¥1.2317
参考库存:5378
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