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晶体管
STGF10NC60KD参考图片

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STGF10NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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库存:5,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4805
2740.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
25 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF10NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
9 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
6 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF10NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.2782
1,700:¥19.5942
3,400:查看
参考库存:2351
晶体管
MOSFET N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥7.2207
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥3.8985
1,000:¥3.0849
3,000:¥3.0849
参考库存:8501
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1868
2,500:¥5.537
5,000:查看
参考库存:4272
晶体管
MOSFET PCH4.5V DRIVE SERIES
1:¥7.3789
10:¥6.2489
100:¥4.8025
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:4542
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥70.3086
10:¥63.5512
25:¥60.5454
100:¥52.5563
1,700:¥38.42
参考库存:3365
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