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晶体管
ZTX1049A参考图片

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ZTX1049A

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
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库存:10,569(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.7573
47.573
100
¥3.0623
306.23
1,000
¥2.4634
2463.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
E-Line-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
180 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX1049
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 mA, 2 V, 300 at 500 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 4 A, 2 V, 35 at 20 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZTX1049A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
4,000:¥0.54579
参考库存:43420
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:8600
晶体管
MOSFET N-channel 30 V 2 mo FET
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3732
500:¥5.6274
1,000:¥4.4522
1,500:¥4.4522
参考库存:7491
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
2,500:¥12.5204
5,000:查看
参考库存:6368
晶体管
MOSFET P-Chan 60V 18 Amp
1:¥13.8312
10:¥11.2209
100:¥10.0683
500:¥7.8422
1,000:¥6.5201
参考库存:4847
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