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晶体管
IPW60R055CFD7XKSA1参考图片

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IPW60R055CFD7XKSA1

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数量单价合计
1
¥70.3086
70.3086
10
¥63.5512
635.512
25
¥60.6245
1515.6125
100
¥52.6354
5263.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
79 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
178 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
CoolMOS CFD7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
98 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPW60R055CFD7 SP001686062
商品其它信息
优势价格,IPW60R055CFD7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,866.973
5:¥3,633.9896
参考库存:42030
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
暂无价格
参考库存:42033
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 120V 50mA SMT Dual NPN Digital
1:¥3.2318
10:¥2.6442
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:42036
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:42039
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,35mW NPN Transistor
1:¥1.4577
10:¥1.3108
100:¥0.85315
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.23843
参考库存:42042
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