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晶体管
IGB30N60T参考图片

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IGB30N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
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数量单价合计
1
¥21.9785
21.9785
10
¥18.6676
186.676
100
¥16.2155
1621.55
250
¥15.368
3842
1,000
¥11.6051
11605.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB30N60TATMA1 IGB3N6TXT SP000095765
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IGB30N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo
1:¥37.8776
10:¥33.8096
100:¥30.8151
250:¥27.8206
参考库存:4353
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥497.539
5:¥482.4761
10:¥468.2607
25:¥439.0615
参考库存:4193
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:4431
晶体管
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.4579
10:¥4.407
100:¥3.3448
500:¥2.7685
3,000:¥2.0001
6,000:查看
参考库存:169808
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:11918
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