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晶体管
SI3459BDV-T1-GE3参考图片

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SI3459BDV-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
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库存：20,469(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.1528
51.528
100
¥3.9098
390.98
500
¥3.2318
1615.9
1,000
¥2.5764
2576.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
Rds On-漏源导通电阻
216 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SI3459BDV-GE3
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，SI3459BDV-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC4040SSD-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET COMP NPN
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:3058
FDN302P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.12209
参考库存:83414
PBSS4140T,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 1000MA
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:4779
APT6030BVRG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥131.6224
5:¥126.56
10:¥121.7914
25:¥111.8813
参考库存:1801
BCX53-16,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin(3+Tab)
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.66105
参考库存:9098
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