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晶体管
APT27HZTR-G1参考图片

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APT27HZTR-G1

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.88366
88.366
1,000
¥0.67574
675.74
2,000
¥0.51528
1030.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1.6 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
APT27
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 100 mA, 10 V
封装
Ammo Pack
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
6 at 300 mA, 10 V
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，APT27HZTR-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC849CLT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
1:¥0.92208
10:¥0.78422
100:¥0.27685
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.14577
参考库存:69978
2SA2126-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
参考库存:1800
ZXTN25012EFHTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V HIGH GAIN
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:1481
MMBTH11
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:20411
DTB543EMT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.5312
100:¥1.1526
1,000:¥0.92208
8,000:¥0.69156
48,000:查看
参考库存:9309
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