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晶体管
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FCH043N60

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数量单价合计
1
¥63.8563
63.8563
10
¥57.7091
577.091
25
¥55.0197
1375.4925
100
¥47.799
4779.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
43 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
163 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
592 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
FCH043N60
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
162 ns
典型接通延迟时间
46 ns
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，FCH043N60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM70NB1R4CP ROG
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5,000:查看
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