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晶体管
APTGLQ200H65G参考图片

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APTGLQ200H65G

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数量单价合计
100
¥1,114.7902
111479.02
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
270 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
680 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGLQ200H65G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
500:¥17.4472
1,000:¥14.6787
2,500:¥13.9894
5,000:¥13.447
参考库存:30052
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:30055
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:11205
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
25,000:¥2.3843
参考库存:30060
晶体管
MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp
1:¥10.8367
10:¥8.9157
100:¥6.8365
500:¥5.876
3,000:¥5.876
参考库存:30063
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