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晶体管
IRFB61N15DPBF参考图片

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IRFB61N15DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC
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库存：3,564(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.1309
19.1309
10
¥16.2155
162.155
100
¥12.9837
1298.37
500
¥11.3678
5683.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
95 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
51 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001560242
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRFB61N15DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP2039UFDE4-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥4.1471
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:9474
STGIPS30C60
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 30A 600V IGBT
1:¥186.8003
5:¥184.8793
10:¥172.2798
25:¥164.5958
参考库存:3554
IKW25N120H3FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3954
FDS86242
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:3531
2DA1774S-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:6482
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