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晶体管
STB18NF25参考图片

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STB18NF25

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
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数量单价合计
1
¥18.2834
18.2834
10
¥15.5262
155.262
100
¥12.3735
1237.35
500
¥10.8367
5418.35
1,000
¥8.9948
8994.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB18NF25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
STripFET II Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
8.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB18NF25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C426NWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
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NVMFS5C450NLWFAFT3G
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5,000:¥2.8928
10,000:¥2.7798
25,000:¥2.7007
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PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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APTGT300A120D3G
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100:¥1,266.8656
参考库存:27655
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