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晶体管
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STGB10NB40LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
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库存:4,864(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
1,000
¥7.8422
7842.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.8 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
栅极/发射极最大电压
12 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB10NB40LZT4
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
700 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB10NB40LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:2694
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
2,500:¥3.7855
5,000:¥3.4465
10,000:¥3.1527
25,000:¥3.0962
参考库存:36661
晶体管
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm
3,000:¥5.1076
6,000:¥4.859
参考库存:36664
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥272.6238
250:¥254.4195
参考库存:36667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥149.5329
250:¥137.2385
500:¥130.628
参考库存:36670
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