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晶体管
STGB10NB40LZT4参考图片

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STGB10NB40LZT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
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库存:4,864(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
1,000
¥7.8422
7842.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.8 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
栅极/发射极最大电压
12 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB10NB40LZT4
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
700 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB10NB40LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥4.0002
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.4803
2,500:¥1.01474
5,000:查看
参考库存:32538
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥91.7447
10:¥83.4505
25:¥77.1451
50:¥72.998
参考库存:2893
晶体管
MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET
1:¥23.6622
10:¥19.5942
100:¥16.1364
250:¥15.594
800:¥15.594
参考库存:5721
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥6.3054
10:¥5.4353
100:¥4.1697
500:¥3.6838
1,000:¥2.9154
2,000:¥2.9154
参考库存:5061
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123YQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.73789
1,000:¥0.49946
5,000:¥0.39211
参考库存:12625
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