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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	60
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	187 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5312DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	60 at 5 mA at 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，MUN5312DW1T2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMMT2907A-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Trans	1:¥3.2996 10:¥2.5538 100:¥1.3786 1,000:¥1.03734 3,000:¥0.89948 9,000:¥0.83733	参考库存:8435
RN1603(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A	1:¥3.0736 10:¥1.7402 100:¥0.9379 500:¥0.75258 3,000:¥0.43844 9,000:查看	参考库存:11761
ZXMP10A17KTC	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V P-Ch MOSFET 20V VGS -11.3A IDM	1:¥7.2207 10:¥6.1811 100:¥4.746 500:¥4.1923 1,000:¥3.3109 2,500:¥3.3109	参考库存:4890
DMC1017UPD-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary	暂无价格	参考库存:37031
ZTX796A	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200V VCEO PNP 250 GAIN IC 0.3A	1:¥7.7631 10:¥6.6557 100:¥5.1076 500:¥4.52 1,000:¥3.5708	参考库存:5208