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晶体管
MUN5312DW1T2G参考图片

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MUN5312DW1T2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
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库存:102,523(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.147
2.147
10
¥1.4238
14.238
100
¥0.5989
59.89
1,000
¥0.4068
406.8
3,000
¥0.32318
969.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN, PNP
典型输入电阻器
22 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
187 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MUN5312DW1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 5 mA at 10 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
通道数量
2 Channel
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MUN5312DW1T2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.71416
1,000:¥0.49155
4,000:¥0.36838
参考库存:10653
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:9169
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC
1:¥6.8365
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.2939
参考库存:5573
晶体管
达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power NPN
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:3718
晶体管
MOSFET 30V 7A N-Channel
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
2,500:¥2.147
参考库存:7865
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