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晶体管
IPW65R420CFDFKSA2参考图片

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IPW65R420CFDFKSA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
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库存：17,701(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.9784
19.9784
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.6052
1360.52
500
¥11.9102
5955.1
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
Rds On-漏源导通电阻
420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPW65R420CFD
商品其它信息
优势价格，IPW65R420CFDFKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDPF5N50NZU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V N-Channel UniFET-II
1,000:¥3.8646
2,000:¥3.4239
10,000:¥3.2996
25,000:¥3.1979
参考库存:33388
DDTC122TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.22K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:33391
2N2195B
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 150mA 20pF
1,000:¥9.2208
2,000:¥8.6106
5,000:¥8.2942
10,000:¥7.9891
参考库存:33394
TPCA8064-H,LQ(CM
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 20A 32W 1600pF 23nC
1:¥15.2098
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6218
6,000:查看
参考库存:33397
BUK962R8-60E,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
4,800:¥7.9891
9,600:¥7.6388
参考库存:33400
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