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晶体管
STB20NM60D参考图片

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STB20NM60D

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A
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数量单价合计
1
¥42.6462
42.6462
10
¥36.273
362.73
100
¥31.4253
3142.53
250
¥29.8094
7452.35
1,000
¥22.5887
22588.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
192 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB20NM60D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB20NM60D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HIGH VOLTAGE TRA
1:¥2.6103
10:¥1.7515
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
参考库存:13520
晶体管
MOSFET -30V Pch+Pch Si MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.3279
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
3,000:¥1.8871
参考库存:7662
晶体管
MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
3,000:¥2.0001
参考库存:64757
晶体管
MOSFET Nch 60V Vds 1.5A 0.255Rds(on) 2Qg
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:4413
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.554
3,000:¥4.8364
6,000:查看
参考库存:4294
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