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晶体管
APT45GR65B参考图片

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APT45GR65B

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存:3,512(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥38.8833
388.833
25
¥38.194
954.85
100
¥35.4255
3542.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
Pd-功率耗散
543 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
118 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT45GR65B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 1.2V Power MOSFE
1:¥3.5369
10:¥2.6894
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
9,000:¥0.88366
参考库存:11558
晶体管
MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified
1:¥6.3732
10:¥5.2997
100:¥4.1471
500:¥3.5369
3,000:¥3.5369
参考库存:101637
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed in a TO247-4 package
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
参考库存:4994
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥2.8476
10:¥1.9775
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:24517
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥4,944.88
5:¥4,865.8139
参考库存:1008
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