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晶体管
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APT45GR65B

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存：3,512(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥38.8833
388.833
25
¥38.194
954.85
100
¥35.4255
3542.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
Pd-功率耗散
543 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
118 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN1R6-60CLJ
Nexperia
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MOSFET PSMN1R6-60CL/D2PAK/
暂无价格
参考库存:30702
STB36NF06LT4
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晶体管
MOSFET 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:4852
MRF6VP3091NR1
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1,000:¥6.8026
2,000:¥6.328
5,000:¥6.102
10,000:¥5.8647
参考库存:30710
NGTD8R65F2SWK
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1,072:¥3.2318
2,500:¥2.8702
10,000:¥2.7572
25,000:¥2.6781
参考库存:30713
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